تمرین شبیه سازی الکترونیک دیجیتال با نرم افزار HSPICE

---

شرح پروژه

با سلام، تمرین های ذکر شده در زیر  شبیه سازی با نرم افزار hspice هست که اگه کسی  میتونه هر کدوم از این سوالات رو حل کنه ممنون میشم پیام بده.

سوال۱- مدار "تمام جمع کننده RTL" را با تعریف SUBCKT های: NOT، NAND2، و  XOR2 در Hspice شبیه سازی نموده و صحت عملکرد مدار را با استفاده از "شکل موج ها" نشان دهید. تاخیر و توان مصرفی مدار را با استفاده از شبیه ساز بدست آورید.

سوال۲- گیت پایه سه تکنولوژی RTL، Resistive-load NMOS، CMOS را با استفاده از Hspice شبیه سازی نموده و پارامترهای حاشیه نویز، تاخیر، توان مصرفی، و fanout آنها را با یکدیگر مقایسه کنید.

سوال۳-  مدار "تمام جمع کننده CMOS" را در تکنولوژی 32nm شبیه سازی نموده و صحت عملکرد مدار را با استفاده از "شکل موج ها" نشان دهید. تاخیر و توان مصرفی مدار را بدست آورید (توجه:  در شبیه سازی، برای ابعاد ترانزیستورها از فایل زیر استفاده نمایید: زمانیکه تکنولوژی 32nm است یعنی L=32nm، و برای ترانزیستوری که نسبت بصورت W/L=3 داده شده است باید W آن ترانزیستور را بصورت  W=32nm *3 در نظر بگیرید).

سوال۴- در شکل زیر، مدار گیت Buffer به دو صورت نشان داده شده است آنها را با استفاده از Hspice شبیه سازی نموده و پارامترهای آنها را از لحاظ حاشیه نویز، تاخیر و توان مصرفی با یکدیگر مقایسه کنید. در تکنولوژی CMOS از کدام مدار استفاده می شود چرا؟ (مهمترین دلیل را بیان نمایید).

 سوال ۵- نسخه استاندارد و اشمیت تریگر  CMOS-NOT را در تکنولوژی 32nm شبیه سازی نمایید. و مشخصه انتقال ولتاژ (VTC) آنها را با هم مقایسه نمایید. در نسخه اشمیت تریگر، فاصله بین VIU و VID به چه پارامترهایی وابسته است که تغییر مقدار آنها منجر به تغییر این فاصله می شود.

این پروژه شامل 4 فایل مهم است، لطفا قبل از ارسال پیشنهاد حتما نسبت به بررسی این فایل اقدام فرمایید.

مهارت ها و تخصص های مورد نیاز

---

---